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2024-03

Co掺杂氧化锌ZnO薄膜

【基本信息】产品名称:Co掺杂氧化锌ZnO薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Co(钴)掺杂氧化锌(ZnO)薄膜是一种在氧化锌薄膜中引入钴元素的材料。这种掺杂通常通过各种化学合成方

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Tb3+掺杂ZnO有序孔阵列薄膜

【基本信息】产品名称:Tb3+掺杂ZnO有序孔阵列薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Tb3+掺杂ZnO有序孔阵列薄膜是一种将三价铽(Tb3+)掺杂到氧化锌(ZnO)有序孔阵列中的

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聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(PET)

【基本信息】中文名称:聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜英文名称:PET纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】聚对苯二甲酸乙二醇酯,常缩写为PET,是一种聚酯类塑料,具有机械性能、化学稳定性和透明

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氧化铟薄膜(In2O3)

【基本信息】中文名称:氧化铟薄膜英文名称:In2O3纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】氧化铟(Indium Oxide,In2O3)薄膜是由铟和氧元素组成的化合物,常用于透明导电薄膜

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八羟基喹啉锰薄膜(Mnq2)

【基本信息】中文名称:八羟基喹啉锰薄膜英文名称:Mnq2纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】八羟基喹啉锰薄膜(Mnq2)是一种有机金属配合物,由锰(Mn)和八羟基喹啉(Quinolat

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八羟基喹啉铁薄膜(Feq3)

【基本信息】中文名称:八羟基喹啉铁薄膜英文名称:Feq3纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】八羟基喹啉铁薄膜,通常用缩写Feq3表示,是一种有机金属配合物,包含铁(Fe)和八羟基喹啉配

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Co掺杂Alq3薄膜

【基本信息】中文名称:Co掺杂Alq3薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Co(钴)掺杂八羟基喹啉铝薄膜(Co掺杂Alq3薄膜)是在八羟基喹啉铝(Alq3)薄膜中引入钴元素的一种薄

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八羟基喹啉铝薄膜(Alq3)

【基本信息】中文名称:八羟基喹啉铝薄膜英文名称:Alq3纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】八羟基喹啉铝薄膜,通常用缩写Alq3表示,是一种有机半导体材料,主要由铝(Al)和八羟基喹啉

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CsPbBr3钙钛矿薄膜

【基本信息】产品名称:CsPbBr3钙钛矿薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】CsPbBr3是一种铅卤钙钛矿材料,其中包含铯(Cs)、铅(Pb)、溴(Br)等元素。CsPbBr3

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BiLaTiO薄膜(BLT)

【基本信息】中文名称:BiLaTiO薄膜英文名称:BLT纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】BiLaTiO (BLT) 薄膜是一种铋(Bi)、镧(La)、钛(Ti)和氧(O)元素组成的

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