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2024-03

氮化钛薄膜(TiN)

【基本信息】中文名称:氮化钛薄膜英文名称:Titanium Nitride,TiN纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】氮化钛薄膜(Titanium Nitride,TiN)是由钛(Ti

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2024-03

碳化钨-碳薄膜(WC:C)

【基本信息】中文名称:碳化钨-碳薄膜英文名称:WC:C纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】碳化钨-碳薄膜(WC:C)是一种由碳化钨(WC)和碳(C)组成的复合薄膜。碳化钨本身就是一种较

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2024-03

四面体非晶碳膜(ta-C)

【基本信息】中文名称:四面体非晶碳膜英文名称:ta-C纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】四面体非晶碳膜(tetrahedral amorphous carbon,简称ta-C)是一种

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TiZrV薄膜

【基本信息】产品名称:TiZrV薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】TiZrV薄膜是由钛(Ti)、锆(Zr)和钒(V)等元素组成的薄膜。这种薄膜可以通过各种薄膜制备技术,如物理气相

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Ni-Co-Mn-Ti合金薄膜

【基本信息】产品名称:Ni-Co-Mn-Ti合金薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Ni-Co-Mn-Ti合金薄膜是由镍(Ni)、钴(Co)、锰(Mn)和钛(Ti)等元素组成的合金

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2024-03

钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜(TGZO)

【基本信息】中文名称:钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜英文名称:TGZO纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜(Titanium-Gallium co-doped

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Ti-Si-N硬质薄膜

【基本信息】产品名称:Ti-Si-N硬质薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Ti-Si-N是一种由钛(Ti)、硅(Si)和氮(N)元素组成的化合物,通常用于制备硬质薄膜。【知识解答

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2024-03

八羟基喹啉铍(Beq2)

【基本信息】中文名称:八羟基喹啉铍英文名称:Beq2纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】八羟基喹啉铍(Beq2,Bis(8-hydroxyquinoline) beryllium),分

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2024-03

Ni有序孔阵列薄膜

【基本信息】产品名称:Ni有序孔阵列薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Ni有序孔阵列薄膜是一种具有有序孔洞排列结构的镍(Ni)薄膜。这种结构通常通过控制制备条件,例如使用模板法、

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硫醇修饰ZnO孔阵列薄膜

【基本信息】产品名称:硫醇修饰ZnO孔阵列薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】硫醇修饰的氧化锌(ZnO)孔阵列薄膜是一种通过在ZnO孔阵列表面引入硫醇分子进行修饰的材料。这种修饰可

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