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2024-03
【基本信息】产品名称：硼轻掺杂的氢化非晶硅薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】硼轻掺杂的氢化非晶硅薄膜是一种具有特殊电学和光学性质的材料，通常应用于太阳能电池、薄膜晶体管等光电子器
【基本信息】产品名称：Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜是由氧化镁（MgO）、氧化锌（ZnO）和铝（Al）组成的化合物
【基本信息】产品名称：NiZnCo铁氧体磁性薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】NiZnCo铁氧体磁性薄膜是一种具有磁性质的材料，通常用于磁性传感器、磁存储器件和微波器件等应用。【
【基本信息】产品名称：CaWO4:Yb3+薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】CaWO4:Yb3+薄膜是一种包含钙钨酸盐和钇（Yb）离子的薄膜材料，通常应用于激光、荧光材料以及光学
【基本信息】产品名称：BaSn0.15Ti0.85O3薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】BaSn0.15Ti0.85O3薄膜是一种铁电材料，通常用于电子器件、铁电存储器和传感器等
【基本信息】产品名称：Ti-Al-O复合氧化物薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Ti-Al-O复合氧化物薄膜的制备可能涉及到同时或交替沉积钛（Ti）、铝（Al）和氧（O）等元素。
【基本信息】产品名称：Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Gd2O3掺杂CeO2（GDC）是一种氧离子导体，常用于固体氧化物燃料电池
【基本信息】产品名称：聚氟薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】聚氟薄膜是由聚合物材料制成的氟化合物薄膜，通常是聚四氟乙烯（Polytetrafluoroethylene，PTFE）
【基本信息】中文名称：铝掺杂氧化锌薄膜 英文名称：ZnO:Al薄膜(AZO)纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】铝掺杂氧化锌薄膜（AZO）或称为氧化锌铝（ZnO:Al）薄膜是由氧化锌
【基本信息】中文名称：(Zr0.8,Sn0.2)TiO4薄膜英文名称：ZST纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】(Zr0.8,Sn0.2)TiO4（缩写为ZST）薄膜是由锆（Zr）、锡
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