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03-25
2022二硫化钨（WS2)连续薄膜 高阻本征硅 (>10000ohm.cm)太赫兹专用 CVD二维薄膜
【基本信息】产品名称：二硫化钨（WS2)连续薄膜 高阻本征硅 (>10000ohm.cm)太赫兹专用 CVD二维薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年规格：mg用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WS2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米 -
03-25
2022二硫化钨（WS2)连续薄膜 硅片基底 CVD二维薄膜
【基本信息】产品名称：二硫化钨（WS2)连续薄膜 硅片基底 CVD二维薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年规格：mg用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WS2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续 -
03-25
2022二硫化钨（WS2)连续薄膜 柔性PET基底 CVD二维薄膜
【基本信息】产品名称：二硫化钨（WS2)连续薄膜 柔性PET基底 CVD二维薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年规格：mg用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WS2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单 -
03-25
2022TEM纳米孔氮化硅膜
【基本信息】产品名称：TEM纳米孔氮化硅膜纯度：99.9%材料：LPCVD 氮化硅薄膜介电常数：6-7介电强度：10（106 V/cm ）电阻率：1016Ω-cm粗糙度（Ra)：0.285%nm杨氏模量：270GPa粗糙度(Rms)：0.405%nm存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研 -
03-25
2022TEM微孔氮化硅膜
【基本信息】产品名称：TEM微孔氮化硅膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】 -
03-25
2022TEM多窗格氮化硅膜
【基本信息】产品名称：TEM多窗格氮化硅膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】 -
03-25
2022TEM单窗格氮化硅膜
【基本信息】产品名称：TEM单窗格氮化硅膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】 -
03-25
2022SEM氮化硅膜窗格
【基本信息】产品名称：SEM氮化硅膜窗格 -
03-25
2022铜基底六方氮化硼薄膜
【基本信息】产品名称：铜基底六方氮化硼薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】薄膜材料是指厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。电子半导体功能器件和光学镀膜是薄膜技术的主要应用。薄膜是一种薄而软的透明薄片。用塑料、胶粘剂、橡胶或其他材料制 -
03-25
2022PET基底六方氮化硼薄膜
【基本信息】产品名称：PET基底六方氮化硼薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】薄膜材料是指厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。电子半导体功能器件和光学镀膜是薄膜技术的主要应用。薄膜是一种薄而软的透明薄片。用塑料、胶粘剂、橡胶或其他材
