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03-25
2022二硒化钨连续薄膜 PDMS基底
【基本信息】产品名称：二硒化钨连续薄膜 PDMS基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄膜 -
03-25
2022WSe2连续薄膜 PDMS基底
【基本信息】产品名称：WSe2连续薄膜 PDMS基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄膜 -
03-25
2022二硒化钨连续薄膜 SOI基底
【基本信息】产品名称：二硒化钨连续薄膜 SOI基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄膜。 -
03-25
2022WSe2连续薄膜 SOI基底
【基本信息】产品名称：WSe2连续薄膜 SOI基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄膜。 -
03-25
2022二硒化钨连续薄膜 高阻本征硅 (>10000ohm.cm)太赫兹专用
【基本信息】产品名称：二硒化钨连续薄膜 高阻本征硅 (>10000ohm.cm)太赫兹专用纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的 -
03-25
2022WSe2连续薄膜 高阻本征硅 (>10000ohm.cm)太赫兹专用
【基本信息】产品名称：WSe2连续薄膜 高阻本征硅 (>10000ohm.cm)太赫兹专用纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的 -
03-25
2022二硒化钨连续薄膜 硅片基底
【基本信息】产品名称：二硒化钨连续薄膜 硅片基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄膜。4 -
03-25
2022WSe2连续薄膜 硅片基底
【基本信息】产品名称：WSe2连续薄膜 硅片基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄膜。4 -
03-25
2022二硒化钨连续薄膜 柔性PET基底
【基本信息】产品名称：二硒化钨连续薄膜 柔性PET基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄 -
03-25
2022WSe2连续薄膜 柔性PET基底
【基本信息】产品名称：WSe2连续薄膜 柔性PET基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄
