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03-25
2022MoS2连续薄膜 高阻本征硅
【基本信息】产品名称：MoS2连续薄膜 高阻本征硅纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】MoS2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层MoS2 连续薄膜 -
03-25
2022二硫化钼连续薄膜 柔性PET基底
【基本信息】产品名称：二硫化钼连续薄膜 柔性PET基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】MoS2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层MoS2 连续 -
03-25
2022二硒化钨连续薄膜 TEM铜网基底
【基本信息】产品名称：二硒化钨连续薄膜 TEM铜网基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄 -
03-25
2022WSe2连续薄膜 TEM铜网基底
【基本信息】产品名称：WSe2连续薄膜 TEM铜网基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄 -
03-25
2022二硒化钨连续薄膜 GaAs砷化镓基底
【基本信息】产品名称：二硒化钨连续薄膜 GaAs砷化镓基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连 -
03-25
2022WSe2连续薄膜 GaAs砷化镓基底
【基本信息】产品名称：WSe2连续薄膜 GaAs砷化镓基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连 -
03-25
2022二硒化钨连续薄膜 铜膜基底
【基本信息】产品名称：二硒化钨连续薄膜 铜膜基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄膜。4 -
03-25
2022WSe2连续薄膜 铜膜基底
【基本信息】产品名称：WSe2连续薄膜 铜膜基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄膜。4 -
03-25
2022二硒化钨连续薄膜 银膜基底
【基本信息】产品名称：二硒化钨连续薄膜 银膜基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄膜。4 -
03-25
2022WSe2连续薄膜 银膜基底
【基本信息】产品名称：WSe2连续薄膜 银膜基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】WSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。3）多层WSe2连续薄膜。4
