CVD-WSe2单层薄膜:Si/SiO2衬底齐岳提供单层和双层

产品名称：CVD-WSe2单层薄膜:Si/SiO2衬底齐岳提供单层和双层

产品描述：

CVD-WSe2单层薄膜:Si/SiO2衬底齐岳提供单层和双层西安齐岳生物供应生长WSe2二硒化钨连续大面积薄膜除了使用蓝宝石衬底以外，还可以通过调控和优化实验条件在二氧化硅衬底上生长出厘米量级的单层和双层WSe2连续大面积薄膜。CVD生长WSe2大膜的生长条件与制备大尺寸单层WSe2薄膜的工艺参数基本一样，不同的是(1)硒丸的加热温度设置为420℃，(2)先将氧化钨在970℃下保温20min后再通入7sccm的氢气。因为氧化钨的熔点高，不利于蒸发，在970℃下保温20min使刚玉舟内有足够多的WOx蒸汽，再通入大量的氢气硒源的还原性，可以使硒与氧化钨迅速反应生成二硒化钨薄膜。我们在此条件下，调控生长时间从5min到25min，步长为5min。如图3-22(a)所示，当生长时间为5min时，基片上出现大量的二硒化钨单晶。通过观察低倍光学照片发现许多二硒化钨拼接在一起，并在晶界处有双层二硒化钨生长；观察高倍光学照片和荧光照片发现二硒化钨单晶不是一个干净的正三角形，在边缘出现许多“毛刺"和表面出现许多小点，尺寸在200μm左右。这是因为大量的氢气引入，在加快二硒化钨生长的过程中，还因为氢气的腐蚀使二硒化钨边缘出现了一些缺陷加速WSe2横向生长。如图3-22(b)所示，当生长时间为10min时，可以看到大面积连续的二硒化钨薄膜，尺寸为1cm×1cm。通过高倍光学照片和对应的荧光照片发现薄膜质量比较均匀，单晶尺寸为150μm左右，但在晶界处有少量的多层二硒化钨生长。如图3-22(c)、(h)和(m)所示，反应时间为15min时，在单层WSe2薄膜表面可以观察到大量的形核点，开始生长二层二硒化钨。这是因为生长时间增加，氢气腐蚀薄膜表面，引入大量缺陷，由晶体学可知，晶体在缺陷处容易形核长大。如图3-22(d)和(e)所示，继续增加生长时间，双层二硒化钨的覆盖率增加，其中生长时间为25min时，双层二硒化钨基本形成连续大膜，只有少量的空隙没有生长。研究生长过程发现此方法生长的双层连续大膜的生长方式为生长完一层后再生长二层，而不是由双层二硒化钨单晶拼接形成。量子点定制产品目录：水溶性CdTe/CdS（碲化镉/硫化镉）3-巯基丙酸修饰CdTe碲化镉量子点PbS量子点修饰TiO2纳米棒二硫化碳修饰水溶性CdTe/CdS量子点Mn锰修饰CdTe/CdS量子点POSS修饰CdTe量子点POSS修饰CdSeTe荧光量子点硫化镉包被碲化镉核壳型量子点(CdTe/CdS QDs)牛血清白蛋白修饰碲化镉量子点(BSA-CdTe)CdTe/CdS量子点负载PEI-MWCNTsCdTe/CdS量子点修饰TiO2纳米管氨基化葫芦脲修饰的碲化镉量子点CB[6]/CdTe QDs和CB[7]/CdTeQDs核糖核酸酶(RNase A)修饰碲化镉(CdTe)量子点3-巯基丙酸(MPA)包覆碲化镉量子点(CdTe QDs)巯基化壳聚糖修饰碲化镉量子点CdTe QDs巯基乙酸修饰的碲化镉量子点(TGA-CdTe-QDs)石墨烯-碲化镉量子点复合材料(G-CdTe QDs)氧化石墨烯-碲化镉量子点(rGO-CdTe QDs)碲化镉量子点功能化碳纳米球(CNS/CdTe QDS)巯基丙酸包覆碲化镉CdTe量子点(CdTe QDs)环糊精修饰碲化镉CdTe量子点聚乙烯吡咯烷酮修饰硫化镉量子点(PVP/CdS)硫化镉量子点修饰AIE荧光探针分子羧甲基纤维素钠修饰硫化镉(CdS)量子点水溶性锗掺杂硫化镉量子点(Ge:CdS d-dots)硫化镉量子点修饰多孔碳氮化物(pg-CN/CdS QDs)石墨烯/硫化镉量子点复合材料硅纳米线-硫化镉CdS量子点复合材料厂家：西安齐岳生物科技有限公司以上资料来自小编axc,2022.03.15以上文中提到的产品用于科研，不能用于人体。 相关目录： 多壁碳纳米管直径10-30nm,长度1-2um应 红细胞膜包裹介孔二氧化硅负载药小分子

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