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2024-03
N,N‘-双(三苯胺基)芴二胺类空穴注入材料【基本信息】中文名称：N,N‘-双(三苯胺基)芴二胺类空穴注入材料英文名称：纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】N,N‘-双(三苯胺基)芴二
苝四甲酸二酐(PTCDA)空穴注入材料【基本信息】中文名称：苝四甲酸二酐(PTCDA)空穴注入材料英文名称：PTCDA纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】苝四甲酸二酐（PTCDA）作为
MoO3掺杂CuPc薄膜空穴注入材料【基本信息】中文名称：MoO3掺杂CuPc薄膜空穴注入材料纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】CuPc（铜酞菁）作为一种有机半导体材料，具有空穴传输
氧化石墨烯基复合空穴注入材料【基本信息】中文名称：氧化石墨烯基复合空穴注入材料纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】通过引入不同种类的纳米粒子、调整材料的组成比例以及优化制备工艺，提高了
NiO纳米晶空穴注入材料【基本信息】中文名称：NiO纳米晶空穴注入材料纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】NiO纳米晶的高空穴注入能力主要来源于其电子结构。作为一种宽带隙的p型半导体，
空穴注入层材料PEDOT:PSS【基本信息】中文名称：空穴注入层材料PEDOT:PSS英文名称：PEDOT:PSS纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】空穴注入层材料PEDOT:PSS在
BTDA-TCNQ空穴注入材料【基本信息】中文名称：BTDA-TCNQ空穴注入材料英文名称：BTDA-TCNQ纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】BTDA-TCNQ，作为一种空穴注入材
TDA-TCNNQ空穴注入材料【基本信息】中文名称：TDA-TCNNQ空穴注入材料英文名称：TDA-TCNNQ纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】TDA-TCNNQ作为一种空穴注入材料
含三苯胺基团有机空穴传输材料【基本信息】中文名称：含三苯胺基团有机空穴传输材料纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】含三苯胺基团有机空穴传输材料由于其空穴传输性能，这些材料被应用于有机发
钙钛矿太阳电池空穴传输材料【基本信息】中文名称：钙钛矿太阳电池空穴传输材料纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】钙钛矿太阳电池空穴传输材料需要具备导电性、稳定性、耐候性以及与钙钛矿材料的
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