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2024-03
含铋复合氧化物半导体BiVO4【基本信息】中文名称：含铋复合氧化物半导体英文名称：BiVO4纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】作为一种含铋复合氧化物半导体，BiVO4在光催化、太阳能
含铋复合氧化物半导体Bi2MoO6【基本信息】中文名称：含铋复合氧化物半导体英文名称：Bi2MoO6纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】含铋复合氧化物半导体Bi2MoO6是一种具有光电
二芳基芴类多孔有机光电半导体材料【基本信息】中文名称：二芳基芴类多孔有机光电半导体材料纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】二芳基芴类多孔有机光电半导体材料是一种具有光电性能的材料，这类
ZnO半导体光电材料【基本信息】中文名称：ZnO半导体光电纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】ZnO半导体光电材料在光电子器件、太阳能电池、紫外光探测器和传感器等领域具有应用前景。Zn
AlGaN基宽禁带半导体光电材料【基本信息】中文名称：AlGaN基宽禁带半导体光电材料纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】AlGaN基宽禁带半导体具有较高的禁带宽度和电子传输性能，Al
锑化铟(InSb)基化合物半导体材料【基本信息】中文名称：锑化铟(InSb)基化合物半导体材料纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】锑化铟（InSb）基化合物半导体材料具有较高电子迁移率
镧系稀土元素掺杂硅基半导体材料光电【基本信息】中文名称：镧系稀土元素掺杂硅基半导体材料光电纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】硅基半导体材料是一种重要的光电材料，镧系稀土元素由于其独特
有机电致绿色铱配合物磷光材料(Tbi)2lr(acac)【基本信息】中文名称：有机电致绿色铱配合物磷光材料英文名称：(Tbi)2lr(acac)纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】在照
有机电致绿色铱配合物磷光材料Ir-SC4【基本信息】中文名称：有机电致绿色铱配合物磷光材料英文名称：Ir-SC4纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】在照明领域，有机电致绿色铱配合物磷光
有机电致红色铱配合物磷光材料(Btu)2lr(acac)【基本信息】中文名称：有机电致红色铱配合物磷光材料英文名称：(Btu)2lr(acac)纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】红色
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