技术文章-第7047页-西安齐岳生物

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2024-03

                        CVD Bi2O2Se薄膜
                    【基本信息】中文名称：CVD 铋氧硒薄膜英文名称：CVD Bi2O2Se薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年规格：mg包装：瓶装/袋装【详情描述】薄膜是一种薄而软的透明薄片。用塑料、胶粘剂、橡胶或其他材料制成。薄膜科学上的

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                        TL-400原位TEM液体芯片
                    【基本信息】产品名称：TL-400原位TEM液体芯片纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年

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                        TBL-500原位SEM液体芯片
                    【基本信息】产品名称：TBL-500原位SEM液体芯片纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年

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                        PET基石墨烯薄膜
                    【基本信息】

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                        单层氮化硼薄膜(铜基)，HBN薄膜
                    【基本信息】中文名称：单层氮化硼薄膜(铜基),HBN薄膜英文名称：Monolayer boron nitride film（HBN）CAS号：7440-42-8覆盖率：100%基底：Cu晶粒尺寸：>4 um单层率：大约80%保存条件：常温干燥避光密封

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                        多层氮化硼薄膜（镍基），HBN薄膜
                    【基本信息】中文名称：多层氮化硼薄膜（镍基），HBN薄膜英文名称：Multilayer boron nitride film（HBN） on NiCAS号：7440-42-8覆盖率：100%基底：镍基层数：5-15层保存条件：常温干燥避光密封保存

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                        单层氮化硼薄膜(SiO2/Si基底)，HBN薄膜
                    【基本信息】中文名称：单层氮化硼薄膜（HBN）SiO2/Si基底英文名称：Monolayer boron nitride film（HBN）CAS号：7440-42-8尺寸描述：参数描述中尺寸为连续氮化硼薄膜尺寸，基底尺寸偏大基底：SiO2/Si晶粒

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                        CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钼连续薄膜
                    【基本信息】中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钼连续薄膜英文名称：monolayer continuous film of MoS2 on SiO2/Si  CVDCAS号：1317-33-5形态：薄膜MoS2薄膜尺寸：约8 mm*8 mm厚

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                        CVD蓝宝石基底单层二硫化钼连续薄膜
                    【基本信息】中文名称: CVD蓝宝石基底单层二硫化钼连续薄膜英文名称：monolayer continuous film of MoS2 on sapphire substrateCAS号：1317-33-5形态：薄膜MoS2薄膜尺寸：约8 mm*8

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                        碳化钛自支撑薄膜（Ti3C2）
                    【基本信息】中文名称：碳化钛（Ti3C2）自支撑薄膜英文名称：Titanium carbide (Ti3C2) freestanding thin filmsCAS号：12316-56-2外观：黑色圆片储存条件：常温干燥惰性气体密闭保存，保存时间1个