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2024-03
【基本信息】中文名称：HfSiON高k栅介质薄膜英文名称：Hafnium Silicon Oxynitride纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】HfSiON（Hafnium Sili
【基本信息】产品名称：TiO2-CeO2薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】TiO2-CeO2薄膜是由二氧化钛（TiO2）和氧化铈（CeO2）两种材料组成的薄膜结构。这种复合薄膜通
【基本信息】中文名称：铝钨酸盐薄膜英文名称：Al2(WO4)3纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】铝钨酸盐（Al2(WO4)3）薄膜是由铝、钨和氧元素组成的化合物薄膜。这种薄膜具有一系
【基本信息】中文名称：锑掺杂二氧化锡透明导电薄膜英文名称：SnO2:Sb纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】锑掺杂的二氧化锡（SnO2:Sb）是一种常见的透明导电薄膜材料，具有光学和电
【基本信息】产品名称：MoS2/SiC双层薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】MoS2/SiC双层薄膜指的是由两个不同材料层构成的薄膜结构，其中一个层是二硫化钼（MoS2），另一个
【基本信息】中文名称：Eu掺杂ZnO薄膜英文名称：ZnO∶Eu3+薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Eu（铕）掺杂的ZnO薄膜，通常写作ZnO:Eu^3+，是由氧化锌（ZnO）中
【基本信息】中文名称：锡掺杂氧化铟薄膜英文名称：In2O3:Sn薄膜（ITO）纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】In2O3:Sn薄膜，也称为ITO（锡掺杂氧化铟）薄膜，是一种透明导电
【基本信息】中文名称：SnO2:Sb薄膜英文名称：ATO纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】SnO2:Sb薄膜，也称为ATO薄膜，是由锡氧化物（SnO2）中掺入锑（Sb）元素而形成的导
【基本信息】产品名称：β-Ga2O3薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】β-Ga2O3是一种氧化镓的晶体相，是一种宽能隙半导体，具有电学性质。β-Ga2O3薄膜通常是通过各种薄膜生
【基本信息】中文名称：氟碳薄膜英文名称：FC纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】氟碳（Fluorocarbon，简写为FC）薄膜通常指的是含有氟元素的碳氢化合物薄膜，具有一系列性质，如
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