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2024-03
【基本信息】产品名称：石英基底MoS2/WS2/MoS2/WS2异质结薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】薄膜材料是指厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。电子半导体功能器件
【基本信息】产品名称：PET基底MoS2/WS2/MoS2/WS2异质结薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】薄膜材料是指厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。电子半导体功能器
【基本信息】产品名称：蓝宝石基底MoS2/WS2/MoS2/WS2异质结薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】薄膜材料是指厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。电子半导体功能器
【基本信息】产品名称：SiO2/Si基底MoS2/WS2/hBN/Graphene异质结薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】薄膜材料是指厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。
【基本信息】产品名称：石英基底MoS2/WS2/hBN/Graphene异质结薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】薄膜材料是指厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。电子半导体
【基本信息】产品名称：PET基底MoS2/WS2/hBN/Graphene异质结薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】薄膜材料是指厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。电子半导
【基本信息】产品名称：蓝宝石基底MoS2/WS2/hBN/Graphene异质结薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】薄膜材料是指厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。电子半导
【基本信息】产品名称：二硒化钼连续薄膜 TEM铜网基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年规格：mg用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】MoSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的孤立晶粒，边长一般是几个微米到几十微米。2
【基本信息】产品名称：MoSe2连续薄膜 TEM铜网基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年规格：mg用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】MoSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的孤立晶粒，边长一般是几个微米到几十微米。
【基本信息】产品名称：二硒化钼连续薄膜 GaAs砷化镓基底纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年规格：mg用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】MoSe2薄膜分为多种：1）单层离散分布的孤立晶粒，边长一般是几个微米到几十微米
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