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2024-03

CdS薄膜

【基本信息】中文名称:CdS薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】CdS(硫化镉)薄膜是一种由镉(Cd)和硫(S)元素组成的薄膜,通常为半导体材料。这使得CdS薄膜在光电子器件、太阳

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2024-03

SiO2薄膜

【基本信息】中文名称:SiO2薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】SiO2薄膜是由硅(Si)和氧(O)元素组成的二氧化硅薄膜。这种薄膜常常被称为二氧化硅薄膜,是一种重要的氧化物薄膜

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2024-03

氮化硅薄膜(Si3N4)

【基本信息】中文名称:氮化硅薄膜英文名称:Si3N4纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Si3N4薄膜是由硅(Si)和氮(N)元素组成的氮化硅薄膜,通常被称为氮化硅。Si3N4薄膜具有

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碳化硅薄膜(SiC)

【基本信息】中文名称:碳化硅薄膜英文名称:SiC纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】碳化硅薄膜(SiC,silicon carbide)是由硅(Si)和碳(C)元素组成的化合物薄膜。碳

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无氢掺硅类金刚石薄膜

【基本信息】中文名称:无氢掺硅类金刚石薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】无氢掺硅类金刚石薄膜是指在金刚石(diamond)结构中掺入硅(Si)元素,而不包含氢(H)的薄膜。制备无

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掺氮类金刚石薄膜

【基本信息】中文名称:掺氮类金刚石薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】掺氮类金刚石薄膜是一种将氮(N)掺杂到金刚石(diamond)结构中的薄膜。氮的掺杂可以改变金刚石薄膜的性质,

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含氢类金刚石(a-C:H)薄膜

【基本信息】中文名称:含氢类金刚石薄膜英文名称:a-C:H纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】含氢类金刚石薄膜(a-C:H,amorphous hydrogenated carbon)

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Ti/Fe/Ti薄膜

【基本信息】中文名称:Ti/Fe/Ti薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】铁是一种铁磁性材料,因此Ti/Fe/Ti薄膜的磁性主要由Fe层决定。Ti/Fe/Ti薄膜结构在磁性传感器、

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Ag/Fe/Ag薄膜

【基本信息】中文名称:Ag/Fe/Ag薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Ag/Fe/Ag薄膜是由银(Ag)和铁(Fe)等元素组成的多层薄膜结构。这种结构常常用于研究磁性和电学性质

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钴铬铂类纳米薄膜(CoCrPt)

【基本信息】中文名称:钴铬铂类纳米薄膜英文名称:CoCrPt纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】CoCrPt(钴铬铂)类纳米薄膜是一种由钴(Co)、铬(Cr)和铂(Pt)等元素组成的纳

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