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2024-03
【基本信息】中文名称：NiFe2O4铁磁薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】NiFe2O4是一种铁磁性材料，通常被用于制备铁磁薄膜。铁磁薄膜可以用于微电子器件中，如在集成电路中的磁
【基本信息】中文名称：氮化锆薄膜英文名称：ZrN纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】氮化锆（ZrN）是由锆（Zr）和氮（N）元素组成的化合物，常见的是蓝黑色的金属陶瓷。ZrN具有一些性
【基本信息】中文名称：Cu-Al共掺ZnO薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Cu-Al 共掺杂的 ZnO（氧化锌）薄膜是一种通过将铜（Cu）和铝（Al）元素共同掺入氧化锌基底中制
【基本信息】中文名称：TbDyFe磁致伸缩薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】TbDyFe是一种永磁材料，通常用于制备磁致伸缩薄膜。这种类型的薄膜在磁场的作用下可以发生磁致伸缩效应
【基本信息】中文名称：钐钴薄膜英文名称：SmCo纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】SmCo（钐钴）薄膜是由钐（Sm）和钴（Co）元素组成的永磁合金的薄层。这种薄膜通常被用于制造微型磁
【基本信息】中文名称：CIGS薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】CIGS 薄膜是由铜（Copper）、铟（Indium）、镉（Gallium）、硒（Selenium）元素组成的化
【基本信息】中文名称：多晶硅锗薄膜英文名称：SiGe纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】多晶硅锗薄膜（SiGe）是由硅（Si）和锗（Ge）元素组成的合金薄膜。SiGe合金具有电学和光学
【基本信息】中文名称：锗单层膜英文名称：Ge纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】单层膜指的是具有单一原子层厚度的材料薄膜。在材料科学中，石墨烯（Graphene）是单层膜之一，由碳原子
【基本信息】中文名称：GeC薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】碳化锗薄膜应用于半导体器件中，作为导电材料或在纳米电子器件中的一部分。碳化锗薄膜的光学性质使其在一些光学涂层中有应用
【基本信息】中文名称：TiNi薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】TiNi合金是由钛（Ti）和镍（Ni）元素组成的一种记忆合金，通常被称为钛镍记忆合金。 TiNi合金具有超弹性，能
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