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2024-03
【基本信息】中文名称：Co掺杂Alq3薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Co（钴）掺杂八羟基喹啉铝薄膜（Co掺杂Alq3薄膜）是在八羟基喹啉铝（Alq3）薄膜中引入钴元素的一种薄
【基本信息】中文名称：八羟基喹啉铝薄膜英文名称：Alq3纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】八羟基喹啉铝薄膜，通常用缩写Alq3表示，是一种有机半导体材料，主要由铝（Al）和八羟基喹啉
【基本信息】产品名称：CsPbBr3钙钛矿薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】CsPbBr3是一种铅卤钙钛矿材料，其中包含铯（Cs）、铅（Pb）、溴（Br）等元素。CsPbBr3
【基本信息】中文名称：BiLaTiO薄膜英文名称：BLT纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】BiLaTiO (BLT) 薄膜是一种铋（Bi）、镧（La）、钛（Ti）和氧（O）元素组成的
【基本信息】产品名称：Ti1-xCoxO2稀磁半导体薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】TiO2本身是一种半导体材料，钴的掺杂可能调制薄膜的电子结构，影响其半导体性质。这对于电子器
【基本信息】产品名称：Zn0.95Co0.05O稀磁半导体薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】钴的掺杂可能引入磁性，使得Zn0.95Co0.05O薄膜具有稀磁性质。这使其在磁性传感
【基本信息】中文名称：Mn掺杂CuO薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Mn掺杂可能影响CuO薄膜的电学性质，包括电导率、电容等。这对于电子器件、电容器等应用产生影响。【知识解答】
【基本信息】产品名称：Ni掺杂AIN基稀磁半导体薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Ni（镍）掺杂氮化铝（AlN）基的稀磁半导体薄膜是通过在AlN薄膜中引入镍元素来制备的。这种薄膜
【基本信息】中文名称：钽酸铌基底石墨烯薄膜基底：钽酸铌基底纯度：99%保存时间：1年包装：瓶装/袋装储藏条件：-20C下避光保存用途：仅用于科研，不能用于人体厂家：西安齐岳生物【详细信息】石墨烯是由碳原子单层组成的二维材料，具有许多性能，如高导电性、
【基本信息】中文名称：InAs基底石墨烯薄膜基底：InAs基底纯度：99%保存时间：1年包装：瓶装/袋装储藏条件：-20C下避光保存用途：仅用于科研，不能用于人体厂家：西安齐岳生物【详细信息】石墨烯是由碳原子单层组成的二维材料，具有许多性能，如高导电
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