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2024-03

Ti-Si-N硬质薄膜

【基本信息】产品名称:Ti-Si-N硬质薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Ti-Si-N是一种由钛(Ti)、硅(Si)和氮(N)元素组成的化合物,通常用于制备硬质薄膜。【知识解答

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八羟基喹啉铍(Beq2)

【基本信息】中文名称:八羟基喹啉铍英文名称:Beq2纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】八羟基喹啉铍(Beq2,Bis(8-hydroxyquinoline) beryllium),分

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2024-03

Ni有序孔阵列薄膜

【基本信息】产品名称:Ni有序孔阵列薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Ni有序孔阵列薄膜是一种具有有序孔洞排列结构的镍(Ni)薄膜。这种结构通常通过控制制备条件,例如使用模板法、

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硫醇修饰ZnO孔阵列薄膜

【基本信息】产品名称:硫醇修饰ZnO孔阵列薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】硫醇修饰的氧化锌(ZnO)孔阵列薄膜是一种通过在ZnO孔阵列表面引入硫醇分子进行修饰的材料。这种修饰可

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Co掺杂氧化锌ZnO薄膜

【基本信息】产品名称:Co掺杂氧化锌ZnO薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Co(钴)掺杂氧化锌(ZnO)薄膜是一种在氧化锌薄膜中引入钴元素的材料。这种掺杂通常通过各种化学合成方

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Tb3+掺杂ZnO有序孔阵列薄膜

【基本信息】产品名称:Tb3+掺杂ZnO有序孔阵列薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Tb3+掺杂ZnO有序孔阵列薄膜是一种将三价铽(Tb3+)掺杂到氧化锌(ZnO)有序孔阵列中的

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聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(PET)

【基本信息】中文名称:聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜英文名称:PET纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】聚对苯二甲酸乙二醇酯,常缩写为PET,是一种聚酯类塑料,具有机械性能、化学稳定性和透明

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氧化铟薄膜(In2O3)

【基本信息】中文名称:氧化铟薄膜英文名称:In2O3纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】氧化铟(Indium Oxide,In2O3)薄膜是由铟和氧元素组成的化合物,常用于透明导电薄膜

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八羟基喹啉锰薄膜(Mnq2)

【基本信息】中文名称:八羟基喹啉锰薄膜英文名称:Mnq2纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】八羟基喹啉锰薄膜(Mnq2)是一种有机金属配合物,由锰(Mn)和八羟基喹啉(Quinolat

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八羟基喹啉铁薄膜(Feq3)

【基本信息】中文名称:八羟基喹啉铁薄膜英文名称:Feq3纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】八羟基喹啉铁薄膜,通常用缩写Feq3表示,是一种有机金属配合物,包含铁(Fe)和八羟基喹啉配

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