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2024-03
【基本信息】中文名称：镓钛共掺杂氧化锌半导体薄膜英文名称：GZO:Ti纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】镓钛共掺杂氧化锌（GZO:Ti）薄膜是一种半导体材料，通常应用于透明导电膜、光
【基本信息】产品名称：MnZn铁氧体薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】MnZn铁氧体薄膜是一种由锰（Mn）、锌（Zn）和氧（O）元素组成的铁氧体材料，通常应用于磁性元件，如微波器
【基本信息】产品名称：Cu2SnS3薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Cu2SnS3薄膜是由铜（Cu）、锡（Sn）和硫（S）元素组成的化合物薄膜，通常应用于光伏器件，特别是薄膜太
【基本信息】产品名称：HfTaO薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】HfTaO薄膜是由铪（Hf）、钽（Ta）和氧（O）元素组成的化合物薄膜，通常应用于非挥发性存储器件、高介电常数薄
【基本信息】产品名称：硼轻掺杂的氢化非晶硅薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】硼轻掺杂的氢化非晶硅薄膜是一种具有特殊电学和光学性质的材料，通常应用于太阳能电池、薄膜晶体管等光电子器
【基本信息】产品名称：Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜是由氧化镁（MgO）、氧化锌（ZnO）和铝（Al）组成的化合物
【基本信息】产品名称：NiZnCo铁氧体磁性薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】NiZnCo铁氧体磁性薄膜是一种具有磁性质的材料，通常用于磁性传感器、磁存储器件和微波器件等应用。【
【基本信息】产品名称：CaWO4:Yb3+薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】CaWO4:Yb3+薄膜是一种包含钙钨酸盐和钇（Yb）离子的薄膜材料，通常应用于激光、荧光材料以及光学
【基本信息】产品名称：BaSn0.15Ti0.85O3薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】BaSn0.15Ti0.85O3薄膜是一种铁电材料，通常用于电子器件、铁电存储器和传感器等
【基本信息】产品名称：Ti-Al-O复合氧化物薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Ti-Al-O复合氧化物薄膜的制备可能涉及到同时或交替沉积钛（Ti）、铝（Al）和氧（O）等元素。
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