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2024-03
【基本信息】中文名称：镍锌铁氧体薄膜英文名称：NiZn Ferrite纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】镍锌铁氧体（NiZn Ferrite）薄膜是一种磁性薄膜，通常用于微波和射频器
【基本信息】中文名称：钙铜钛氧化物薄膜英文名称：CaCuTiO纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】钙铜钛氧化物（CaCuTiO）薄膜是一种复杂氧化物薄膜，通常涉及到多种元素的掺杂和复杂
【基本信息】中文名称：钛酸锶薄膜英文名称：STO，Strontium Titanate纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】钛酸锶（Strontium Titanate，STO）薄膜是一
【基本信息】产品名称：ZnO:W-TCO薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】ZnO:W-TCO薄膜是一种由氧化锌（ZnO）和钨（W）共同掺杂的透明导电氧化物薄膜（Transpare
【基本信息】产品名称：Na-N共掺p型ZnO薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Na-N 共掺杂的 p 型氧化锌（ZnO）薄膜是一种半导体材料，通过掺杂钠（Na）和氮（N）元素，可
【基本信息】产品名称：YIG薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】YIG（钇铁氧体，Yttrium Iron Garnet）薄膜是一种磁性材料，通常应用于微波和毫米波器件，如微波隔离
【基本信息】中文名称：Mg掺杂的氧化镓薄膜英文名称：Mg-doped Ga2O3纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Mg掺杂的氧化镓（Mg-doped Ga2O3）薄膜是一种半导体材料
【基本信息】产品名称：MgO/Au复合薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】MgO/Au复合薄膜是由镁氧化物（MgO）和金（Au）层叠组成的薄膜结构，通常应用于磁性、光学或电学器件。
【基本信息】产品名称：InGaZnO薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】InGaZnO（Indium Gallium Zinc Oxide）薄膜是一种非晶态或多晶态氧化物半导体材料
【基本信息】中文名称：掺杂氟的SnO2薄膜英文名称：FTO纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】掺杂氟的锡氧化物薄膜（FTO，Fluorine-doped Tin Oxide）是一种透明
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