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2024-03
【基本信息】中文名称：锡掺杂氧化铟薄膜英文名称：In2O3:Sn薄膜（ITO）纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】In2O3:Sn薄膜，也称为ITO（锡掺杂氧化铟）薄膜，是一种透明导电
【基本信息】中文名称：SnO2:Sb薄膜英文名称：ATO纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】SnO2:Sb薄膜，也称为ATO薄膜，是由锡氧化物（SnO2）中掺入锑（Sb）元素而形成的导
【基本信息】产品名称：β-Ga2O3薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】β-Ga2O3是一种氧化镓的晶体相，是一种宽能隙半导体，具有电学性质。β-Ga2O3薄膜通常是通过各种薄膜生
【基本信息】中文名称：氟碳薄膜英文名称：FC纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】氟碳（Fluorocarbon，简写为FC）薄膜通常指的是含有氟元素的碳氢化合物薄膜，具有一系列性质，如
【基本信息】产品名称：MgxZn1-xO(0x 0 30)薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】MgxZn1-xO薄膜的制备通常采用物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等技
【基本信息】产品名称：Mg0.16Zn0.84薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Mg0.16Zn0.84薄膜是由氧化镁（MgO）和氧化锌（ZnO）两种化合物组成的合金薄膜，其具体
【基本信息】中文名称：掺锆氧化锌薄膜英文名称：ZnO:Zr纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】掺锆氧化锌薄膜（ZnO:Zr）是由锌氧（ZnO）薄膜中掺入锆（Zr）元素而形成的材料。这种
【基本信息】中文名称：多晶硅薄膜英文名称：polycrystalline silicon，poly-Si纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】多晶硅薄膜是由多晶硅（polycrystal
【基本信息】产品名称：ZnO:Ga薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】ZnO:Ga薄膜是由氧化锌（ZnO）和镓（Ga）元素组成的材料，其中的镓是通过掺杂的方式引入的。这种薄膜在透明
【基本信息】中文名称：碲化镉薄膜英文名称：CdTe纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】CdTe薄膜用于太阳能电池的制造。CdTe太阳能电池通常采用玻璃或其他透明基底上的薄膜结构，具有高
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