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2024-03

二氧化钇薄膜(Yb2O3)

【基本信息】中文名称:二氧化钇薄膜英文名称:Yb2O3纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】二氧化钇(Yb2O3)薄膜是由钇和氧元素组成的化合物薄膜,通常应用于光学、电子器件和其他工业领

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2024-03

锡硫化物薄膜(SnS)

【基本信息】中文名称:锡硫化物薄膜英文名称:SnS纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】锡硫化物(SnS)薄膜是由锡(Sn)和硫(S)元素组成的材料,通常在光伏和电子器件等领域中应用。S

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2024-03

Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜(PZT)

【基本信息】中文名称:Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜英文名称:PZT纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,简称PZT,是一种铁电陶瓷材料,

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2024-03

(Ba0.7Sr0.3)TiO3铁电薄膜(BST)

【基本信息】中文名称:(Ba0.7Sr0.3)TiO3铁电薄膜英文名称:BST纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】(Ba0.7Sr0.3)TiO3铁电薄膜(简称BST)是一种铁电材料,

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HfSiON高k栅介质薄膜

【基本信息】中文名称:HfSiON高k栅介质薄膜英文名称:Hafnium Silicon Oxynitride纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】HfSiON(Hafnium Sili

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TiO2-CeO2薄膜

【基本信息】产品名称:TiO2-CeO2薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】TiO2-CeO2薄膜是由二氧化钛(TiO2)和氧化铈(CeO2)两种材料组成的薄膜结构。这种复合薄膜通

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铝钨酸盐薄膜(Al2(WO4)3)

【基本信息】中文名称:铝钨酸盐薄膜英文名称:Al2(WO4)3纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】铝钨酸盐(Al2(WO4)3)薄膜是由铝、钨和氧元素组成的化合物薄膜。这种薄膜具有一系

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锑掺杂二氧化锡透明导电薄膜(SnO2:Sb)

【基本信息】中文名称:锑掺杂二氧化锡透明导电薄膜英文名称:SnO2:Sb纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】锑掺杂的二氧化锡(SnO2:Sb)是一种常见的透明导电薄膜材料,具有光学和电

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MoS2/SiC双层薄膜

【基本信息】产品名称:MoS2/SiC双层薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】MoS2/SiC双层薄膜指的是由两个不同材料层构成的薄膜结构,其中一个层是二硫化钼(MoS2),另一个

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Eu掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Eu3+薄膜)

【基本信息】中文名称:Eu掺杂ZnO薄膜英文名称:ZnO∶Eu3+薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Eu(铕)掺杂的ZnO薄膜,通常写作ZnO:Eu^3+,是由氧化锌(ZnO)中

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