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2024-03

AlN薄膜

【基本信息】产品名称:AlN薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】AlN薄膜具有较高的热导率,因此在热管理和散热应用中较为有用。它可用作导热材料,例如在电子器件、LED封装、高功率电

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2024-03

类金刚石碳基薄膜(DLC)

【基本信息】中文名称:类金刚石碳基薄膜英文名称:DLC纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】类金刚石碳基薄膜是一类以碳为主要组成元素,具有类似金刚石(碳化硅)结构或性质的薄膜。这些薄膜通

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2024-03

二氧化钛薄膜(TiO2)

【基本信息】产品名称:二氧化钛薄膜英文名称:TiO2纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】TiO2(二氧化钛)薄膜是一种由二氧化钛材料制成的薄膜。二氧化钛是一种氧化物,具有许多特殊的物理

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2024-03

Al2O3薄膜

【基本信息】产品名称:Al2O3薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】由于离子束的轰击作用,薄膜断面形貌多孔状的柱状晶结构消失,薄膜致密化程度有很大提高。【知识解答】化学气相沉积法是

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Cr2O3薄膜

【基本信息】产品名称:Cr2O3薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】在未施加离子束辅助时,Cr2O3薄膜断面结构为典型的柱状晶结构。从断面形貌图可以看出,纯Cr过渡层与Cr2O3层

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2024-03

ZrO2薄膜

【基本信息】产品名称:ZrO2薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】研究认为在制备ZrO2薄膜时,双频等离子体溅射中离子束轰击能量Ei在 220-250ev之间时,200ev 离子能

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2024-03

氟化类金刚石薄膜(F-DLC)

【基本信息】中文名称:氟化类金刚石薄膜英文名称:F-DLC纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】采用射频反应磁控溅射法用高纯石墨作靶、三氟甲烷(CHF3)和氩气(Ar)作源气体制备了氟化

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氮化铜纳米薄膜(Cu3N)

【基本信息】中文名称:氮化铜纳米薄膜英文名称:Cu3N纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】氮化铜纳米薄膜(Cu3N)是由铜(Cu)和氮(N)元素组成的化合物,通常以纳米尺度的薄膜形式存

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2024-03

氧化铋薄膜(Bi2O3)

【基本信息】中文名称:氧化铋薄膜英文名称:Bi2O3纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Bi2O3薄膜是由氧化铋(Bi2O3)组成的薄层材料,具有一系列独特的光学、电学和磁学性质,使其

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2024-03

CeO2-TiO2/SnO2:Sb双层薄膜

【基本信息】产品名称:CeO2-TiO2/SnO2:Sb双层薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】CeO2-TiO2/SnO2:Sb双层薄膜是由氧化铈-二氧化钛(CeO2-TiO2)

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