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2024-03
【基本信息】中文名称：多晶硅锗薄膜英文名称：SiGe纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】多晶硅锗薄膜（SiGe）是由硅（Si）和锗（Ge）元素组成的合金薄膜。SiGe合金具有电学和光学
【基本信息】中文名称：锗单层膜英文名称：Ge纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】单层膜指的是具有单一原子层厚度的材料薄膜。在材料科学中，石墨烯（Graphene）是单层膜之一，由碳原子
【基本信息】中文名称：GeC薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】碳化锗薄膜应用于半导体器件中，作为导电材料或在纳米电子器件中的一部分。碳化锗薄膜的光学性质使其在一些光学涂层中有应用
【基本信息】中文名称：TiNi薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】TiNi合金是由钛（Ti）和镍（Ni）元素组成的一种记忆合金，通常被称为钛镍记忆合金。 TiNi合金具有超弹性，能
【基本信息】中文名称：铂薄膜英文名称：Pt纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】铂是一种催化剂，Pt薄膜在电化学和化学反应中用于催化剂的制备，例如燃料电池、电解水产氢等。【知识解答】晶膜
【基本信息】中文名称：Fe掺杂的TiO2薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】Fe（铁）掺杂的TiO2薄膜是由钛氧化物（TiO2）中引入铁元素（Fe）而形成的一种材料。这种掺杂可以调
【基本信息】中文名称：SiNX薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】氮化硅（SiNx）薄膜是由硅（Si）和氮（N）元素组成的化合物薄膜。SiNx薄膜在半导体工业和光学领域中有应用，其
【基本信息】中文名称：IGZO薄膜纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】IGZO（Indium Gallium Zinc Oxide）薄膜是一种由铟（Indium）、镓（Gallium）
【基本信息】中文名称：镍薄膜英文名称：Ni纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】镍薄膜（Ni）是由镍元素组成的一层较薄的涂层或覆盖层。镍薄膜具有良好的抗腐蚀性能，因此可用于制备防腐蚀涂层
【基本信息】中文名称：氧化镁薄膜英文名称：MgO纯度：99.9%存储：-20℃冷藏、密封、避光保存时间：1年用途：仅用于科研，不能用于人体【详情描述】氧化镁（MgO）薄膜是由镁和氧元素组成的化合物，在材料科学和电子器件中具有多种应用。MgO薄膜可以制
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