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2025-08
2英寸二硒化钨薄膜（2 inch WSe2）二硒化钨（WSe2）是过渡金属硫族化合物（TMDs）家族的重要成员，单层时为直接带隙半导体（带隙约1.6 eV），多层时为间接带隙半导体，具有优异的光电与电子性能。通过化学气相沉积（CVD）方法在2英寸衬底
不同层数蓝宝石基底二硒化铂薄膜（PtSe2，10 mm 10 mm）二硒化铂（PtSe2）是一种具有层状结构的二维材料，与典型的MoS2和WSe2不同，其带隙性质高度依赖层数。单层PtSe2为半导体（带隙约1.2 eV），而多层甚至块体PtSe2则
PtTe2薄膜（碲化铂薄膜、二碲化铂薄膜）二碲化铂（PtTe2）是过渡金属碲化物材料，属于1T相层状结构。它表现出丰富的物理特性，包括拓扑态、较强的自旋-轨道耦合以及良好的电导率。PtTe2的能带结构同样具有层数依赖性，单层时为半导体或窄带隙材料，多
定制基底PtSe2薄膜PtSe2的制备过程中，基底选择起到至关重要的作用。不同基底会影响PtSe2的取向、应力状态和电学特性，因此定制基底PtSe2是一种高价值的研究与应用方向。常用基底包括蓝宝石、SiO2/Si、石英、云母以及柔性聚合物基底，不同基
二硒化铂薄膜（PtSe2）二硒化铂（PtSe2）是近年来兴起的二维材料，具有独特的层数依赖电子结构。与传统的石墨烯不同，PtSe2既能展现金属性，也能通过厚度调控呈现半导体特性。这种灵活性使PtSe2在纳米电子器件、光电探测和传感技术中具有广阔前景。
石英基底PtSe2薄膜（10 mm 10 mm）在石英基底上制备的PtSe2薄膜兼具光学透明性与电子调控潜力。石英作为衬底，具备高透过率与绝缘性，适合光学与光电测试场景。10 mm 10 mm的PtSe2薄膜样品常用于实验研究、光电器件验证及材料
2英寸二硫化钨薄膜（2 inch WS2）二硫化钨（WS2）是一类典型的过渡金属硫族化合物（TMDs），以层状结构和可调带隙特性而闻名。其单层形式为直接带隙半导体（带隙约2.0 eV），具有优异的光电响应特性，而多层WS2则为间接带隙，适合电催化与电
CVD二硒化钼（CVD MoSe2）二硒化钼（MoSe2）与MoS2同属TMDs，因其较窄的带隙（单层直接带隙约1.5 eV，多层间接带隙约1.1 eV），在光电器件、红外探测和能源转换等领域受到关注。通过CVD方法制备的MoSe2薄膜具有层数可控、
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Ce6-NH2中文名称：二氢卟吩氨基修饰物（Ce6-NH2）英文名称：Chlorin e6 Amine (Ce6-NH2)介绍：Ce6-NH2 是以二氢卟吩 e6（Chlorin e6, Ce6）为母体，通过在其结构上引入氨基（–NH2）基团得到的一
Ce6-NHS中文名称：二氢卟吩 N-羟基琥珀酰亚胺活性酯（Ce6-NHS）英文名称：Chlorin e6 N-hydroxysuccinimide ester (Ce6-NHS)介绍：Ce6-NHS 是以二氢卟吩 e6 为核心结构，在其羧基上引入
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